深圳誠(chéng)為通電子有限公司是LED驅(qū)動(dòng)IC、MOS，LED驅(qū)動(dòng)電源等產(chǎn)品專業(yè)生產(chǎn)加工的,專業(yè)從事管理IC和低壓MOSFET的供應(yīng)商。產(chǎn)品適用LED手電筒，LED射燈，LED日光燈，航模飛機(jī)，電池保護(hù)板、mp3,mp4,手機(jī)、數(shù)碼相框、數(shù)碼相機(jī)、GPS、LED礦燈、便攜式DVD、各種電源等。
公司奉行“以誠(chéng)為本、客戶至上”的經(jīng)營(yíng)宗旨，力爭(zhēng)做到最好，愿為廣大客戶提供最優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
主要原廠一級(jí)代理產(chǎn)品型號(hào)及適用領(lǐng)域
一, 杭州士蘭LED恒流IC:
1）SD42522主要用在 射燈MR16上，輸入電壓為6~36V，電流1A,恒流精度1％以內(nèi)，效率96％以上。
2） SD42525主要用在 射燈MR16上，輸入電壓為6-36W，電流1A，可替代SN3350，PT4115，恒流精度2％以內(nèi)，效率高，性價(jià)比高。
3）SD42524，有PWM作用，可代替英國(guó)的ZXLD1350；
4） SD42560，升降壓IC，電壓5~36V，輸入電流1A，PWM調(diào)光，恒流精度1％。
5）SD42528，6~48V，電流1A，PWM調(diào)光，IC自帶散熱片，恒流精度2％，
6）SA7527，85~265V，電流1A，帶PFC功率因素教正，恒流精度高。
7）SD4840/4841/4842/4843/4844是用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET電流模式PEM控制器系列產(chǎn)品。統(tǒng)一封裝形式是DLP-8-300-2.54。
該電路待機(jī)功耗低，啟動(dòng)電流低，待機(jī)模式下電力進(jìn)入打嗝模式，從而有效降低電路的待機(jī)功耗。
電路的開(kāi)關(guān)頻率為67KHZ，抖動(dòng)的振蕩頻率，可以獲得較低的EML。
內(nèi)置15MS軟啟動(dòng)電路，可以減小在上電過(guò)程中變壓器的應(yīng)力，防止變壓器飽和。

二，韓國(guó)信安品牌MOSFET和士蘭的高壓MOSFET：
TSM1N60M/F/D是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有TO-251-3L和TO-220F-3L倆種封裝，采信安微電子的平面VDMOS工藝制造，先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使的該產(chǎn)品具有較底的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
TSF2N60M/F/D是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有TO-251-3L和TO-220F-3L倆種封裝，采用信安電子的平面VDMOS工藝制造，先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使的該產(chǎn)品具有較底的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有TO-251-3L和TO-220F-3L倆種封裝，采用信安電子的平面VDMOS工藝制造，先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使的該產(chǎn)品具有較底的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

TSF7N60T/F是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有TO-220-3L和TO-220F-3L倆種封裝，采用信安電子的平面VDMOS工藝制造，先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使的該產(chǎn)品具有較底的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

TSF12N65T/F是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有TO-220-3L和TO-220F-3L倆種封裝，采用信安電子的平面VDMOS工藝制造，先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使的該產(chǎn)品具有較底的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。